根據智能傳感器的智能化程度、功能和復雜度、智能傳感技術的發展過程，將七成傳感器分為三種形式：
智能傳感器的初級形式
該類智能傳感器的典型特征是:在傳感器內部集成有溫度補償及校正電路、線性補償電路和信號處理電路。但該類傳感器的“智能”含量少,其核心是不具有微處理器,因此不具備更高級的智能。在精度和性能上仍有一定差距,有待于進一步的完善。所以此形式的智能傳感器僅處于初級階段。
現以"具有CMOS放大器的單片集成壓阻式壓力傳感器"為例,如圖15-3是硅盒結構集成壓力傳感器芯片剖面圖。該結構采用了硅盒結構,將壓敏單元與CMOS信和號調理電路集成在同一硅芯片中,其加工過程是：先在下層硅片表面通過遮蔽腐蝕的方法形成深10μm，長、寬各60μm的凹坑，將上層硅片與下層硅片在1150℃高溫中鍵合形成硅盒結構，從而在兩層硅片之間成一個參照壓力空腔。然后將上層硅片減薄至30μm，再將其表面拋光，通過光刻對中的方法，在參照壓力空腔上方的硅膜上用離子注入工藝形成壓敏電橋,用標準的CMOS工藝在空腔外圍的上層硅片上制作CMOS信號放大電路,從而形成單片集成的結構。
這種硅盒結構的一大特點是:只需在硅芯片單面進行加工,其工藝與標準芯片制造工藝完全兼容,從而克服了傳統硅杯型壓力傳感器在制作工藝上與芯片制造工藝不兼容的缺點,使壓敏元件與信號調整電路的單片集成成為現實。
整個集成壓力傳感器芯片面積為1.5m㎡。其電路如圖15-4所示。圖中R1~R4組成的壓阻全橋構成了力敏傳感單元,每臂電阻阻值約為5kΩ;信號放大電路由三個CMOS運算放大器及電阻網絡組成;A1、A2構成同相輸入放大器,輸入電阻很高.共模抑制比也很高A3接成基本差動輸入放大器形式。整個放大電路的差模放大倍數為:
