為什么在儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT！

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT儲能變流器PCS，實現超高的儲能變流器PCS平均效率，更小的儲能變流器PCS體積重量！更低的儲能變流器PCS成本！更高的儲能變流器PCS功率密度！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類儲能變流器PCS，比如電站集中式儲能變流器PCS，工商業模塊化儲能變流器PCS，戶用儲能PCS等。

儲能變流器PCS是連接儲能電池系統和電網的雙向電流可控轉換裝置，決定了新型儲能系統的效率和安全，影響著新型儲能系統的使用壽命。儲能變流器的核心作用疊加新型儲能電站裝機規模攀升，使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS享受市場快速擴張紅利。目前市場競爭非常激烈，使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS競爭優勢較明顯。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET儲能PCS替代IGBT模塊方案。SiC以耐高壓、耐高溫、體積小、響應速度快等優勢，規避了IGBT技術壁壘、產能受限的問題.

儲能變流器技術發展集中在軟件和硬件兩大領域。構網型變流器的控制模式（算法）快速迭代。其主要應用在新能源配套和獨立儲能電站等場景，因為它可以穩定整個電網、改善系統穩定性，所以該技術在以上兩個主要應用場景滲透比例高。國內主要構網型變流器廠商在該項技術上取得了一定突破。

構網型iC碳化硅MOSFET儲能PCS硬件與構網型變流器控制模式緊密相關，iC碳化硅MOSFET儲能PCS須具備較強的支撐能力，實現瞬間輸出較大有功、無功電流，發揮較強的支撐作用，且有較快的響應速度。

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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